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6.9毫米最薄四核 中兴旗舰Grand S亮相

  【IT168 新闻播报】北京时间12月27日晚6点30分,第二届中兴手机“设计之夜”在中兴通讯上海研发中心正式召开。在此活动上,除了对中兴通讯一年内取得杰出贡献的设计师进行了表彰外,中兴也像外界首次展示了荣膺iF全球年度设计大奖的旗舰产品Grand S。

6.9毫米最薄四核 中兴旗舰Grand S亮相
▲中兴通讯执行副总裁何士友先生致开幕词

  继昨日中兴子品牌nubia Z5在北京成功首发之后,中兴在今日的“设计之夜”上,一款同样高端旗舰机型Grand S也初露峥嵘。由于真机将在2013年1月CES展期间正式发布,因此活动现场只对这款旗舰产品进行了简单的介绍。

6.9毫米最薄四核 中兴旗舰Grand S亮相
▲范迪文为大家介绍旗舰产品Grand S

  中兴通讯全球首席设计总监范迪文先生首次展示Grand S的外观设计图。根据现场播放的幻灯片来看,Grand S的突出卖点是其外观设计,手机整体采用Uni-body机身一体化机身该机采用了6.9毫米超薄机身设计,拥有0.55毫米的触摸屏以及3.14毫米窄边框。另外在手机顶部,有一块黑色横枕形区域,中兴在其中放置了摄像头,同时将以往分布在机身各处的零件整合在这一区域,这也是Grand S轻薄的关键。

6.9毫米最薄四核 中兴旗舰Grand S亮相
▲Grand S拥有0.55毫米的触摸屏以及3.14毫米窄边框

  另外虽然官方并未给出Grand S的详细硬件配置,但据现场知情人士透露,Grand S可基本确定采用了高通四核处理器+五寸1080P显示屏的强劲配置。有关这款旗舰及产品的更多介绍还请关注IT168手机频道在明年1月CES展会上的报道。

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  中兴时尚设计之夜体验之旅

  除此之外中兴通讯还带与会的所有媒体参观了中兴通讯上海研发中心,在展厅中展出了本年度取得出色销量的Grand era系列以及中兴U970等机型。另外几款概念机也是初次与广大用户见面,下面请详细了解一下吧。

中兴时尚设计之夜体验之旅
▲中兴通讯上海研发中心

中兴时尚设计之夜体验之旅
▲中兴老人手机

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▲中兴儿童手机

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▲中兴概念手机

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