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稳居安卓第一 三星Galaxy S6性能全解析

2015-03-27 00:00    it168网站原创  作者: 王迪 编辑: 王迪

  【IT168 评测】如果抛开价格和其他因素不谈,只从硬件上去探讨购买的价值问题,那无疑三星Galaxy S6/S6 edge绝对是目前安卓阵营里最强的产品。它拥有当下最强的硬件能力,包括5.1英寸的QUAD HD SuperAmoled显示屏,2560x1440像素的2K分辨率,再加上三星最新的Exynos 7420八核平台,以及3GB DDR4内存和1600万像素,并且还拥有快速充电、无线充电、4G Cat6、心率识别等诸多创新功能,硬件上几乎无可挑剔。那么究竟这些炫酷的硬件都有着怎样的意义,实际的真机性能又如何,我们今天测过再说。

稳居安卓第一 三星Galaxy S6性能全解析

  如果要说三星Galaxy S6/S6 edge的硬件亮点,最为出色的无疑就是Exynos 7420处理器,而这颗处理器最大的特点就是使用14nm FinFET工艺,毫无疑问这是目前业内最顶尖的水准。目前除了三星Exynos 7420外,甚至只有英特尔在全新的酷睿i7桌面平台上使用该工艺。所以在高通旗舰芯片骁龙810还处于20nm工艺时,三星已经从工艺和性能上完爆高通、海思、联发科等芯片厂商。

三星Exynos 7420芯片特

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▲常见的几大旗舰芯片所使用的制程工艺

  以往我们了解到的旗舰机所使用的芯片工艺,大体上都是来源于台积电,包括28nm高性能(HP)、低耗电(LP)、高性能低耗 电(HPL)以及高性能移动计算(HPM)等工艺,代表芯片有高通骁龙801(HPM)、麒麟930(HPC)、联发科MT6795(HPM)等,而此次三星Exynos 7420则首次使用了FinFET技术的低纳米制程工艺,领先于高通旗舰骁龙810芯片的20nm,在工艺上足足赢了一个时代,而这也正是三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上的核心亮点。

  在此之前我们不妨先来了解下14nm FinFET工艺有何过人之处。首先我们知道知道芯片工艺的制程数值越小,就可以带来更强劲的性能,并且功耗就会更低。而原因是为什么呢?实际上一个处理器是由不同材料制成的许多“层”堆叠在一起而形成的电 路,里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。这些元器组件之间的距离我们通常就用“纳米”来描述它。所以14nm实 际上缩短了元器件的间距,一方面可以布局更多的芯片元器件,另一方面也只需要更小的电压,所以性能和功耗都会得到提升。

三星Exynos 7420芯片特

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▲三星Exynos 7420芯片使用的14nm FinFet工艺的基本原理

  既然如此,为何其它厂商的旗舰机不使用更优秀的制程工艺芯片?而这主要是受限于成本和技术,首先更小的工艺需要更昂贵的设备成本,晶片的投资成本会更高。即便你不在乎成本,但由于更小的晶体管在排列时很容易出现漏电的情况,很难实现稳定的情况,需要不断的调试和优化。所以并不是说其它厂商没有能力实现更低纳米的工艺,只是为了追求制程与稳定的平衡,当下大多芯片都在20nm和28nm之间,实现性能和稳定的平衡。

三星Exynos 7420芯片特

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  所以三星Exynos 7420处理器之所以优秀,最主要的原因就就是14nm FinFET制程工艺。其实三星在半导体制造方面实际上非常超前,而目前也仅有三星一家可以正式大规模量产14nm FinFET工艺的移动设备芯片,甚至传言苹果下一代A9处理器也都会使用三星制程技术。

三星Exynos 7420芯片特

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  另外关于这个FinFET工艺技术,实际上并不是第一次出现,(FinField-EffectTransistor,FinFET)具体称之为鳍式场效晶体管,它是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管,因为晶体管的形状与鱼鳍的相似而得名。早在2011年初,英特尔公司就曾在 它22nm的芯片上使用FinFET工艺,成功量产和商业化。目前英特尔酷睿i7-3770之后的22nm处理器实际上都使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低,面积小的优点,除了英特尔和三星外,台积电、联发科、海思都有计划推出自己的FinFET晶体管,但目前也只有三星成功量产。

  了解完三星Exynos 7420所使用的14nm FinFET工艺外,我们不妨来看看它的具体详情。这颗处理器同样是一款64位架构的八核平台。采用A57+A53的big.LITTLE架构,其中A57的最高频率将达到2.1GHz,A53部分则为1.5GHz,性能非常强劲。此外图形方面还集成Mali-T760 MP8,最高内存带宽可达25.6GB/s,这也是目前为止最强的移动图形处理器芯片。

三星Exynos 7420芯片特

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  另外有不少媒体说明这颗处理器集成基带,实际上这并不正确。我们在和三星工作人员取得联系后得知,实际上Exynos 7420处理器并没有集成三星自己的基带,而是单独使用高通MDM系列的基带解决方案,而这也是国行版的三星Galaxy S6 edge会有全网通版本的原因。

  另外除了Exynos 7420芯片外,三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上实际上还有两个亮点,分别是LPDDR4内存和UFS2.0技术。

  关于LPDDR4内存,这将会是今年的旗舰新标准。虽然之前小米Note率先宣布会使用4GB LPDDR4内存,不过对于小米的“期货”风格,相信短时间内不会面世。所以三星Galaxy S6将会是首款搭载LPDDR4内存的产品。在性能上新的LPDDR4将会比现有LPDDR3内存提升50%,可提供32Gbps的带宽(为LPDDR3的2倍),实际应用上会带来更高效的反应能力和启动速度。同时由于LPDDR4内 存的工作电压降低至1.1V,所以耗电量也会降低40%左右。

三星Exynos 7420芯片特

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  另外LPDDR4实际上也并非是三星S6独有,目前高通骁龙810、三星Exynos 7420、英特尔Atom Z3500这三款处理器都能支持LPDDR4内存,而这三款处理器均是定位于高端市场之列,相信后续会有一大波产品使用该内存。

  另外一个则是UFS 2.0技术,它的是Universal Flash Storage(通用闪存芯片)缩写,是三星在S6前发布的标准芯片,支持“Command Queue”技术,可同时实现读取和写入操作,期间的电源管理也更高效。目前UFS 2.0的读写速度比当下旗舰手机所使用的eMMC 5.0快了3倍,理论传输速度甚至高达1.2GB/s,已经达到SSD标准(仅在128G版上测试,32GB/64GB会略慢些)。

三星Exynos 7420芯片特

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  综合来看,三星Galaxy S6/S6 edge的硬件条件甚至已经可以称之为恐怖,大有横扫整个Android阵营的水准。既然它的理论数值如此优秀,那实际中的性能表现如何?对此我们也进行了测试。

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三星 Galaxy S6 128GB 公开版4G手机(白色)
屏幕尺寸:5.1英寸 CPU核心数:四核 操作系统:安卓Android 5.0 后置摄像头:2000万像素 运行内存(RAM):3GB 更多参数 >>
  • 屏幕尺寸:5.1英寸
  • CPU核心数:四核
  • 操作系统:安卓Android 5.0
  • 后置摄像头:2000万像素
  • 运行内存(RAM):3GB
  • 电池容量:2600毫安时
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