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确定CES 2017亮相 骁龙835跑分再曝光

  【IT168 资讯】高通的骁龙835一直备受关注,很大程度上左右了2017年旗舰手机的发展。今天高通官方在推特上表示,CEO莫伦科夫将在CES 2017上对骁龙835进行详细的阐述,披露骁龙835的更多细节信息。巧合的是,在权威跑分网站GeekBench的后台中也出现了疑似骁龙835的跑分数据,率先曝光了骁龙835的技术细节。

确定CES 2017亮相 骁龙835跑分再曝光
▲高通官方发布推文

  CES 2017将于2017年1月5日至8日举行,高通CEO莫伦科夫定于1月6日早9点(北京时间1月7日凌晨1点)在拉斯维加斯的威尼斯人酒店,展开对骁龙835的主题演讲。此次演讲无疑会披露骁龙835的众多技术细节,包括其核心数、架构、主频、GPU等,并对其内置的X16 LTE调制解调器、QC4.0、10nm制程等进行重点讲解。

确定CES 2017亮相 骁龙835跑分再曝光

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▲GeekBench跑分曝光,对比骁龙821、麒麟960

  目前,权威跑分网站GeekBench的后台中也出现了疑似骁龙835的跑分数据,率先曝光了一些参数,包括8核心架构,主频1.9GHz,依旧是Kryo核心(ARM implementer 81是Kryo核心的内部代号)。跑分上,骁龙835可能让人有点失望,单核跑分1844,多核跑分5426,其中单核基本和骁龙821、麒麟960保持同一水平,而多核方面尽管领先骁龙821,但仍明显落后于麒麟960,当然,这不排除是工程系的缘故,后续还有优化的空间。

  其他细节方面,综合目前的信息,骁龙835由三星的10nm工艺打造,支持LPDDR4X内存和UFS 2.1闪存,搭载的X16 LTE调制解调器可以实现最高1Gbps的下行速率,另外内置全新的Adreno GPU、ISP和Hexagon DSP,将在VR、AR、成像等领域有更加高效稳定的发挥。

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  最后,近期关于10nm工艺良率的质疑不断,关于骁龙835最大的疑问在于其商用时间,这也将是此次演讲关注的重点。

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