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QC4.0快充 高通骁龙835官方新闻稿偷跑

2017-01-03 09:41    it168网站 原创  作者: 邓璐良 编辑: 邓璐良

  【IT168 资讯】今年的CES将在1月6日展开,目前参会的厂商都已经进入了紧张的筹划阶段。高通作为半导体行业的龙头老大自然不会缺席,不过其保密工作做的可谓实在糟糕,昨天刚刚曝光了高通骁龙835的官方PPT,今天又被曝光了官方新闻稿,有关于新品骁龙835芯片的信息可谓完全托盘而出,爆料大神evleaks也对此进行了肯定。

QC4.0快充 高通骁龙835官方新闻稿偷跑

  从曝光出的PPT和官方新闻稿来看,高通骁龙835的升级跨度依旧非常高。除了采用台积电最新的10nm制程工艺以外,综合性能相比骁龙820/821提升了27%,能耗降低了40%,游戏和VR的3D渲染速度加快了25%,此外还支持60倍的屏幕显示色、QC4.0快充。

  高通骁龙835的具体参数包括采用自主4+4结构的Kryo 280八核心设计(基于ARMv8架构),包括四颗主频为 2.45GHz的高频核心,以及四颗主频为1.9GHz的低频核心集成的GPU部分则是是Adreno 540 芯片,支持DX12、OpenGL ES和Vulkan应用,此外还包括60fps的4K屏幕显示,Q-Sync技术和更广的色域显示特性等,并支持4K HEVC视频解码,据悉其性能相比于高通821所使用的Adreno 530提升了 30% 之多。

  除了性能升级之外,高通骁龙835最大的亮点莫过于QC 4.0了,毕竟小米、乐视、360等手机的快速充电功能均依托于此。从目前的消息来看,由于骁龙835拥有更低的功耗,所以可以提供1天以上的通话时间、5天以上的音乐播放、7小时以上的4K视频,配合QC4.0充电技术,可实现充电5分钟,使用5小时。

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  在基带方面,高通骁龙835也做了不小升级。最新的X16 LTE基带(支持Cat.16)可以提供1Gbps的下载速度,支持802.11ad Wi-Fi,得益于10nm,基带模块封装面积缩小了45%,能效提升60%。

  从官方新闻稿曝光出的消息来看,今年的骁龙835依旧会是一款综合性能表现出色的芯片,看来高通也早已走出骁龙810的阴霾,专注于自主架构的开发。不过海思、联发科、三星等芯片厂商的旗舰芯片也会搭载10nm制程工艺,因此今年半导体行业的竞争也会愈加激烈,高通一家独大的格局也将被逐渐瓜分。

关键字: 4G , 高通 , 骁龙835
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主屏尺寸:5.15英寸 运行内存RAM:6GB 机身存储:64GB 电池容量:3350毫安时 后置摄像头:1200万像素 更多参数 >>
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