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一亿像素还不够!三星144MP成像传感器即将面世

  12月17日,据外媒报道,在今年的IEE国际电子设备会议上,三星公司向公众展示了一种新的制造工艺,即14nm FinFET工艺。据悉,该工艺将用于生产144MP成像传感器,而三星明年发布的S11系列或将首发。

  据了解,FinFET IC使用“鳍”来控制内部芯片的电压,从而起到降低能耗的目的。相关数据显示,与28nm平面工艺相比,使用此次新工艺14nm FinFET制造的12MP ISP,在数字和模拟方面的能耗分别降低了37%和18%。

  同时,在该工艺的作用下,界面态密度将提升40%以上,数字逻辑功能芯片功耗将降低34%。

  这将意味着,在14nm FinFET先进工艺的支持下,144MP功耗有望实现大幅度降低。

  另外,三星方面表示,其Galaxy S11系列产品可能将在明年2月18日正式发布。届时,我们看到的Galaxy S11 +系列产品将配备多达五个摄像头。包括有一台108MP主相机,一台超宽相机,两台长焦相机,并配有飞行时间传感器。

  其中,108MP传感器可与远摄相机配合使用,达到“空间缩放”效果,实现50倍混合变焦以及100倍数码变焦。(编辑:姜雪儿)

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