12月17日，据外媒报道，在今年的IEE国际电子设备会议上，三星公司向公众展示了一种新的制造工艺，即14nm FinFET工艺。据悉，该工艺将用于生产144MP成像传感器，而三星明年发布的S11系列或将首发。

　　据了解，FinFET IC使用“鳍”来控制内部芯片的电压，从而起到降低能耗的目的。相关数据显示，与28nm平面工艺相比，使用此次新工艺14nm FinFET制造的12MP ISP，在数字和模拟方面的能耗分别降低了37%和18％。

　　同时，在该工艺的作用下，界面态密度将提升40%以上，数字逻辑功能芯片功耗将降低34%。

　　这将意味着，在14nm FinFET先进工艺的支持下，144MP功耗有望实现大幅度降低。

　　另外，三星方面表示，其Galaxy S11系列产品可能将在明年2月18日正式发布。届时，我们看到的Galaxy S11 +系列产品将配备多达五个摄像头。包括有一台108MP主相机，一台超宽相机，两台长焦相机，并配有飞行时间传感器。

　　其中，108MP传感器可与远摄相机配合使用，达到“空间缩放”效果，实现50倍混合变焦以及100倍数码变焦。（编辑：姜雪儿）