如果抛开价格和其他因素不谈，只从硬件上去探讨购买的价值问题，那无疑三星Galaxy S6/S6 edge绝对是目前安卓阵营里最强的产品。它拥有当下最强的硬件能力，包括5.1英寸的QUAD HD SuperAmoled显示屏，2560x1440像素的2K分辨率，再加上三星最新的Exynos 7420八核平台，以及3GB DDR4内存和1600万像素，并且还拥有快速充电、无线充电、4G Cat6、心率识别等诸多创新功能，硬件上几乎无可挑剔。

　　如果要说三星Galaxy S6/S6 edge的硬件亮点，最为出色的无疑就是Exynos 7420处理器，而这颗处理器最大的特点就是使用14nm FinFET工艺，毫无疑问这是目前业内最顶尖的水准。目前除了三星Exynos 7420外，甚至只有英特尔在全新的酷睿i7桌面平台上使用该工艺。所以在高通旗舰芯片骁龙810还处于20nm工艺时，三星已经从工艺和性能上完爆高通、海思、联发科等芯片厂商。

▲常见的几大旗舰芯片所使用的制程工艺

　　以往我们了解到的旗舰机所使用的芯片工艺，大体上都是来源于台积电，包括28nm高性能(HP)、低耗电(LP)、高性能低耗 电(HPL)以及高性能移动计算(HPM)等工艺，代表芯片有高通骁龙801(HPM)、麒麟930(HPC)、联发科MT6795(HPM)等，而此次三星Exynos 7420则首次使用了FinFET技术的低纳米制程工艺，领先于高通旗舰骁龙810芯片的20nm，在工艺上足足赢了一个时代，而这也正是三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上的核心亮点。

　　在此之前我们不妨先来了解下14nm FinFET工艺有何过人之处。首先我们知道知道芯片工艺的制程数值越小，就可以带来更强劲的性能，并且功耗就会更低。而原因是为什么呢?实际上一个处理器是由不同材料制成的许多“层”堆叠在一起而形成的电 路，里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。这些元器组件之间的距离我们通常就用“纳米”来描述它。所以14nm实 际上缩短了元器件的间距，一方面可以布局更多的芯片元器件，另一方面也只需要更小的电压，所以性能和功耗都会得到提升。

▲三星Exynos 7420芯片使用的14nm FinFet工艺的基本原理

　　既然如此，为何其它厂商的旗舰机不使用更优秀的制程工艺芯片?而这主要是受限于成本和技术，首先更小的工艺需要更昂贵的设备成本，晶片的投资成本会更高。即便你不在乎成本，但由于更小的晶体管在排列时很容易出现漏电的情况，很难实现稳定的情况，需要不断的调试和优化。所以并不是说其它厂商没有能力实现更低纳米的工艺，只是为了追求制程与稳定的平衡，当下大多芯片都在20nm和28nm之间，实现性能和稳定的平衡。

　　所以三星Exynos 7420处理器之所以优秀，最主要的原因就就是14nm FinFET制程工艺。其实三星在半导体制造方面实际上非常超前，而目前也仅有三星一家可以正式大规模量产14nm FinFET工艺的移动设备芯片，甚至传言苹果下一代A9处理器也都会使用三星制程技术。

　　另外关于这个FinFET工艺技术，实际上并不是第一次出现，(FinField-EffectTransistor,FinFET)具体称之为鳍式场效晶体管，它是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，因为晶体管的形状与鱼鳍的相似而得名。早在2011年初，英特尔公司就曾在 它22nm的芯片上使用FinFET工艺，成功量产和商业化。目前英特尔酷睿i7-3770之后的22nm处理器实际上都使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，除了英特尔和三星外，台积电、联发科、海思都有计划推出自己的FinFET晶体管，但目前也只有三星成功量产。

　　了解完三星Exynos 7420所使用的14nm FinFET工艺外，我们不妨来看看它的具体详情。这颗处理器同样是一款64位架构的八核平台。采用A57+A53的big.LITTLE架构，其中A57的最高频率将达到2.1GHz，A53部分则为1.5GHz，性能非常强劲。此外图形方面还集成Mali-T760 MP8，最高内存带宽可达25.6GB/s，这也是目前为止最强的移动图形处理器芯片。

　　另外有不少媒体说明这颗处理器集成基带，实际上这并不正确。我们在和三星工作人员取得联系后得知，实际上Exynos 7420处理器并没有集成三星自己的基带，而是单独使用高通MDM系列的基带解决方案，而这也是国行版的三星Galaxy S6 edge会有全网通版本的原因。

　　另外除了Exynos 7420芯片外，三星Galaxy S6/S6 edge在硬件上实际上还有两个亮点，分别是LPDDR4内存和UFS2.0技术。

　　关于LPDDR4内存，这将会是今年的旗舰新标准。虽然之前小米Note率先宣布会使用4GB LPDDR4内存，不过对于小米的“期货”风格，相信短时间内不会面世。所以三星Galaxy S6将会是首款搭载LPDDR4内存的产品。在性能上新的LPDDR4将会比现有LPDDR3内存提升50%，可提供32Gbps的带宽(为LPDDR3的2倍)，实际应用上会带来更高效的反应能力和启动速度。同时由于LPDDR4内 存的工作电压降低至1.1V，所以耗电量也会降低40%左右。

　　另外LPDDR4实际上也并非是三星S6独有，目前高通骁龙810、三星Exynos 7420、英特尔Atom Z3500这三款处理器都能支持LPDDR4内存，而这三款处理器均是定位于高端市场之列，相信后续会有一大波产品使用该内存。

　　另外一个则是UFS 2.0技术，它的是Universal Flash Storage(通用闪存芯片)缩写，是三星在S6前发布的标准芯片，支持“Command Queue”技术，可同时实现读取和写入操作，期间的电源管理也更高效。目前UFS 2.0的读写速度比当下旗舰手机所使用的eMMC 5.0快了3倍，理论传输速度甚至高达1.2GB/s，已经达到SSD标准(仅在128G版上测试，32GB/64GB会略慢些)。

　　综合来看，三星Galaxy S6/S6 edge的硬件条件甚至已经可以称之为恐怖，大有横扫整个Android阵营的水准。既然它的理论数值如此优秀，那实际中的性能表现如何?对此我们也进行了测试。